| |
| |
|
Studium chemického čištění povrchů metodou LEIS
Staněk, Jan ; Polčák, Josef (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá studiem chemicky čištěných povrchů krystalů teluridu kademnatého (CdTe krystalů) pomocí rozptylu nízkoenergiových iontů (metoda LEIS). V teoretické části je popsána fyzikální podstata metody LEIS, včetně experimentálního uspořádání přístroje Qtac100, na kterém byl experiment měřen. Metoda LEIS je také porovnána s rentgenovou fotoelektronovou spektroskopii (XPS). Jsou zde také shrnuty základní vlastnosti a struktura CdTe krystalů, včetně principu fungování detektorů rentgenového záření, pro něž jsou použité krystaly primárně využívány. V experimentální části je popsán samotný proces měření, od kalibračního měření, přes chemické leptání, až po zkoumání leptaného povrchu. Jsou zde ukázky LEISovských spekter s komentáři a interpretacemi, včetně porovnání s daty naměřenými pomocí metody XPS.
|
|
Analýza nanostruktur metodou ToF-LEIS
Duda, Radek ; Král, Jaroslav (oponent) ; Mašek, Karel (oponent) ; Dub, Petr (vedoucí práce)
Předložená práce pojednává o využití analytické metody TOF-LEIS v oblasti výzkumu nanostruktur. Touto metodou byl stanoven nový postup pro hloubkové profilování prvkového složení vzorku, který je založen na střídavém měření spolu s metodou DSIMS. Metoda TOF-LEIS je schopna detekovat rozhraní vrstev ještě před jeho rozmixováním odprašujícím svazkem iontů metody DSIMS. Dále byl stanoven postup úpravy výsledných ToF-LEIS spekter tak, abychom obdrželi skutečnou koncentraci prvků ve vzorku eliminací příspěvku mnohoobných kolizí projektilů. Porovnáním TOF LEIS spekter s výsledky měření metody DSIMS byl obdržen poměr výtěžku iontů molybdenu a křemíku. V další části práce jsou ukázány výhody metody TOF-LEIS v kombinaci s metodou XPS během analýzy teplotní stability zlatých nanočástic. Je ukázána komplementárnost obou metod a jejich závěry podloženy snímky elektronového mikroskopu. Závěrečná část je věnována popisu nově sestavené aparatury pro analytickou metodu TOF-SARS a představení jejich možností především ohledně detekce vodíku na grafenu.
|
| |
|
Studium chemického čištění povrchů metodou LEIS
Staněk, Jan ; Polčák, Josef (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá studiem chemicky čištěných povrchů krystalů teluridu kademnatého (CdTe krystalů) pomocí rozptylu nízkoenergiových iontů (metoda LEIS). V teoretické části je popsána fyzikální podstata metody LEIS, včetně experimentálního uspořádání přístroje Qtac100, na kterém byl experiment měřen. Metoda LEIS je také porovnána s rentgenovou fotoelektronovou spektroskopii (XPS). Jsou zde také shrnuty základní vlastnosti a struktura CdTe krystalů, včetně principu fungování detektorů rentgenového záření, pro něž jsou použité krystaly primárně využívány. V experimentální části je popsán samotný proces měření, od kalibračního měření, přes chemické leptání, až po zkoumání leptaného povrchu. Jsou zde ukázky LEISovských spekter s komentáři a interpretacemi, včetně porovnání s daty naměřenými pomocí metody XPS.
|
|
Analýza nanostruktur metodou ToF-LEIS
Duda, Radek ; Král, Jaroslav (oponent) ; Mašek, Karel (oponent) ; Dub, Petr (vedoucí práce)
Předložená práce pojednává o využití analytické metody TOF-LEIS v oblasti výzkumu nanostruktur. Touto metodou byl stanoven nový postup pro hloubkové profilování prvkového složení vzorku, který je založen na střídavém měření spolu s metodou DSIMS. Metoda TOF-LEIS je schopna detekovat rozhraní vrstev ještě před jeho rozmixováním odprašujícím svazkem iontů metody DSIMS. Dále byl stanoven postup úpravy výsledných ToF-LEIS spekter tak, abychom obdrželi skutečnou koncentraci prvků ve vzorku eliminací příspěvku mnohoobných kolizí projektilů. Porovnáním TOF LEIS spekter s výsledky měření metody DSIMS byl obdržen poměr výtěžku iontů molybdenu a křemíku. V další části práce jsou ukázány výhody metody TOF-LEIS v kombinaci s metodou XPS během analýzy teplotní stability zlatých nanočástic. Je ukázána komplementárnost obou metod a jejich závěry podloženy snímky elektronového mikroskopu. Závěrečná část je věnována popisu nově sestavené aparatury pro analytickou metodu TOF-SARS a představení jejich možností především ohledně detekce vodíku na grafenu.
|
| |
| |
| |